STUDI AWAL PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS GAN DENGAN TEKNIK SPIN-COATING
DOI:
https://doi.org/10.18269/jpmipa.v5i2.35660Keywords:
Lapisan GaN, teknik spin-coating, metode sol gelAbstract
GaN merupakan material semikonduktor yang memiliki nilai celah pita energi (Eg) sekitar 3,45 eV pada temperatur ruang dengan struktur transisi langsung. Keadaan ini membuat GaN sangat potensial untuk aplikasi divais optoelektronik yang beroperasi para rentang panjang gelombang UV. Dalam studi ini telah dilakukan uji penumbuhan lapisan (GaN) di atas substrat Si (100) dan Al2O3 (0001) dengan teknik sol-gel spin coating dengan menggunakan kristal gallium-citrate-amine sebagai prekursor Ga. Teknik ini tergolong sederhana, mudah pengoperasiannya dan relative murah. Hasil karakterisasi lapisan GaN yang berhasil ditumbuhkan menunjukkan bahwa baik yang ditumbuhkan di atas substrat Si (100) maupun Al2O3 (0001) masih memiliki struktur polikristal. Kualitas morfologi lapisan GaN masih relatif rendah, dengan ketebalan rata-rata berkisar antara 1-1,5 m. Nilai celah pita energi lapisan GaN yang ditumbuhkan di atas Al2O3 (0001) berdasarkan hasil karakterisasi UV-Vis spectroscopy adalah sekitar 3.20 eV. Nilai ini masih sedikit lebih rendah dari nilai idealnya
Downloads
References
Nakamura, S., Fasol, G., The Blue Laser Diode, Springer: Berlin, 1997.
M. Razeghi, M., and Rogalski, A., J. Appl. Phys. 1996;79(10)
Monroy, E., Calle, F., Pau, J. L., Munoz, E., Omnes, F., Beaumont, B., Gibart, P., Phys. Stat. Sol. (a) 2001;185: 91
Amano, H., Kito, M., Hiramutsu, K., Akasaki, I., Jpn. J. Appl. Phys. 1989; 28 : L2112
Nakamura, S., Senoh, M., Mukai, T., Jpn. J. Appl. Phys. 1991; 30 : L1998
Khan, M. A., Kuznia, J. N., Bhattarai, A. R., Olson, D. T., Appl. Phys. Lett., 1993;63(9):1214
Okano, H., Tanaka, N., Takahashi, Y., Tanaka, T., Shiabata, K., Nakano, S., Appl. Phys. Lett., 1994;64:166
Takeuchi, T., Hirosawa, K., Amano, H., Hiroawsa, K., Akasaki, I., J. Cryst. Growth 1993;128:391
Yoshida, S., Misawa, S., Gonda, S., Appl. Phys. Lett., 1983;42:427
takeuchi, T., Amano, H., Hiramatsu, K., Sawaki, N., Akasaki, I., J. Cryst. Growth 1991;115:634
Ponce, F. A., Major Jr., J. S., Plano, W. E., Welch, D. F., Appl. Phys. Lett., 1994;65(18):2302
Devi, A., Rogge, W., Wohlfart A., Hipler, F., Becker, H. W., Fishcer, R. A., Chem Vap Deposition 2000;6(5):245
Detchprohm, T., Hiramatsu, K., Sawaki, N., Akasaki, I., J. Cryst. Growth 1994;137:171
Nakamura, S., Harada, Y., Senoh, M., Appl. Phys. Lett., 1991;58(18):2021
Sugianto, Sani, R. A., Arifin, P., Budiman, M., Barmawi, M., J. Cryst. Growth 2000;221:311
Raju, A. R., Sardar, K., Rao, C. N. R., Mater. Sci. Semicond. Proc., 2001;4:549
O’Brien, P., Salacinski, H., Motevalli, M., J. Am. Chem. Soc., 1997;119:12695
Madelung, O., Semiconductor Basic Data, 2nd edition, (1996)
Downloads
Published
Issue
Section
License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 International License.
